机译:基于表面等离子体与量子阱耦合的发光二极管量子效率提高的数值研究
机译:局部表面等离激元增强硅量子点发光二极管的外部量子效率
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:具有金属/ SiO
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:通过局部表面等离子体增强了GaN基垂直发光二极管的外部量子效率
机译:N掺杂Gaas(1-x)p(x)发光二极管外量子效率的压力研究。